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A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
admin
2012-01-09
33
问题
A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
选项
A、
B、
C、
D、
E、
答案
E
解析
金属基底冠须均匀朝一个方向磨去一薄层,防止磨料污染金属表面,再经临床试戴后,进行喷砂。经打磨、喷砂的金属帽状冠应进行清洁后才能进行下一步工作。
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/AmOj777K
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专业知识
口腔医学技术(103)
卫生专业技术资格初级(士)
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