抑制性突触后电位(1PSP)形成是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的

admin2012-01-05  26

问题 抑制性突触后电位(1PSP)形成是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的

选项 A、Na+、K+、C1-,尤其Na+
B、Na+、K+、C1-,尤其Cl-
C、K+、Cl-,尤其Cl-
D、K+、C1-,尤其K+
E、Ca2+、Na+,尤其Ca2+

答案C

解析
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