下列关于闪存(FlashMem0ry)的叙述叶t,错误的是

admin2014-01-14  34

问题 下列关于闪存(FlashMem0ry)的叙述叶t,错误的是

选项 A、信息可渎可写,并且读、写速度一样快
B、存储元由M0s管组成,是一种半导体存储器
C、掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D、采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器

答案A

解析 闪存是电子可擦除只渎存储器(EEPROM)的变种,闪存掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器。采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器。闪存是一种半导体存储器,不能实现信息可读可写。删除或重写闪存中的内容是有条件的,而且有次数的限制。闪存与EEPROM不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/Cqxi777K
0

最新回复(0)