2. 工程
  3. 3DG6型晶体管的集电极最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得IC=15mA，UCE=10V，则该管的：

3DG6型晶体管的集电极最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得IC=15mA，UCE=10V，则该管的：

admin2017-06-16  49
问题 3DG6型晶体管的集电极最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得IC=15mA，UCE=10V，则该管的：
选项 A、工作正常
B、放大能力较差
C、击穿
D、管子过热甚至烧坏
答案D
解析 由于IC和UCE的乘积15mA×10V＞100mW超过了集电极最大允许耗散功率PCM，所以引起管子过热甚至烧坏。
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