A．K＋ B．Na＋ C．Ca2＋ D．Cl－ E．H＋可产生抑制性突触后电位的离子基础是 ( )

admin2015-10-22 40

问题 A．K^＋
B．Na^＋
C．Ca^2＋
D．Cl^－
E．H^＋
可产生抑制性突触后电位的离子基础是 ( )

选项 A、
B、
C、
D、
E、

答案D

解析抑制性突触后电位产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使胞膜上的配体门控Cl^－通道开放，引起Cl^－内流，突触后膜发生超极化。

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第一单元

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