2. 考研
  3. 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下，错误的是( )。

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下，错误的是( )。

admin2016-03-29  34
问题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高
Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高
Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快
Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新
通常情况下，错误的是(    )。
选项 A、Ⅰ和Ⅱ
B、Ⅱ和Ⅲ
C、Ⅲ和Ⅳ
D、Ⅰ和Ⅳ
答案B
解析 DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM。SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。随机存储器RAM可分为静态和动态两种。SRAM由6个MOS管组成一个记忆单元，它的存取速度快，但集成度低，功耗也较大；DRAM由4个MOS管或单个MOS管组成一个记忆单元，它的集成度高，功耗小，但存取速度慢。DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，栅极电容上的电荷数目会随着时间推移逐步泄漏，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程称为刷新。
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/MhRi777K
本试题收录于： 计算机408题库学硕统考专业分类
0

计算机408

学硕统考专业

相关试题推荐
随机试题
最新回复(0)