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医学
A.低于体瓷烧结愠度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结愠度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
admin
2011-12-18
58
问题
A.低于体瓷烧结愠度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
选项
A、
B、
C、
D、
E、
答案
E
解析
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/QBOj777K
0
专业知识
口腔医学技术(103)
卫生专业技术资格初级(士)
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