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3DG6型晶体管的集电极最大允许电流ICM=20mA,发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V,集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW,使用时测得IC=15mA,UCE=10V,则该管的:
3DG6型晶体管的集电极最大允许电流ICM=20mA,发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V,集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW,使用时测得IC=15mA,UCE=10V,则该管的:
admin
2017-06-16
31
问题
3DG6型晶体管的集电极最大允许电流I
CM
=20mA,发射极反向击穿电压U
(BR)CEO
=20V,集电极的最大允许耗散功率P
CM
=100mW,使用时测得I
C
=15mA,U
CE
=10V,则该管的:
选项
A、工作正常
B、管子过热甚至烧坏
C、击穿
D、放大能力较差
答案
B
解析
由于I
C
和U
CE
的乘积15mA×10V>100mW超过了集电极最大允许耗散功率P
CM
,所以引起管子过热甚至烧坏。
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基础考试(上午)
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