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  3. 关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

admin2008-03-10  93
问题 关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的
选项 A、突触前末梢去极化
B、Ca2+由膜内进入突触前膜内
C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D、突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
答案E
解析 IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。
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