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  3. A、低于体瓷烧结温度6～8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 自身釉烧结的温度是

A、低于体瓷烧结温度6～8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 自身釉烧结的温度是

admin2012-01-09  79
问题 A、低于体瓷烧结温度6～8℃       B、高于体瓷烧结温度10℃      C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间       D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡      E、防止磨料成分污染金属表面
自身釉烧结的温度是
选项 A、 
B、 
C、 
D、 
E、 
答案B
解析 若采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。
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专业知识

口腔医学技术（103）

卫生专业技术资格初级（士）

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