2. 考研
  3. 某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵，且已知其存取周期为0．1μs，最大刷新问隔为2ms。当采用异步刷新方式时，死时间( )。

某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵，且已知其存取周期为0．1μs，最大刷新问隔为2ms。当采用异步刷新方式时，死时间( )。

admin2019-05-10  27
问题 某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵，且已知其存取周期为0．1μs，最大刷新问隔为2ms。当采用异步刷新方式时，死时间(    )。
选项 A、=2ms
B、≈0．1ms
C、=0．2ps
D、=0．1μs
答案D
解析 当采用异步刷新方式时，将对DRAM芯片内1024行的刷新均匀分布在2ms内的不同时间，每次刷新一行；这样每次刷新只需停止一个存取周期，即“死时间”为一个存取周期一一0．1μs，故选D。
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