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某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵,且已知其存取周期为0.1μs,最大刷新问隔为2ms。当采用异步刷新方式时,死时间( )。
某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵,且已知其存取周期为0.1μs,最大刷新问隔为2ms。当采用异步刷新方式时,死时间( )。
admin
2019-05-10
42
问题
某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵,且已知其存取周期为0.1μs,最大刷新问隔为2ms。当采用异步刷新方式时,死时间( )。
选项
A、=2ms
B、≈0.1ms
C、=0.2ps
D、=0.1μs
答案
D
解析
当采用异步刷新方式时,将对DRAM芯片内1024行的刷新均匀分布在2ms内的不同时间,每次刷新一行;这样每次刷新只需停止一个存取周期,即“死时间”为一个存取周期一一0.1μs,故选D。
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计算机408题库学硕统考专业分类
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计算机408
学硕统考专业
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