关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的

admin2008-03-10  38

问题 关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的

选项 A、突触前末梢去极化
B、Ca2+由膜内进入突触前膜内
C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D、突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

答案E

解析 IPSP产生过程是:突触前末梢去极化,Ca2+由膜内进入突触前膜内,引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合,使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高,突触后膜出现超极化的电位变化,突触后神经元表现抑制。
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