2. 自考
  3. 依据我国《集成电路布图设计保护条例》，下列表述正确的有( )

依据我国《集成电路布图设计保护条例》，下列表述正确的有( )

admin2022-05-28  48
问题 依据我国《集成电路布图设计保护条例》，下列表述正确的有(          )
选项 A、布图设计专有权的取得方式是登记
B、布图设计专有权的保护期为10年，自授权公告之日起算
C、对布图设计专有权可以适用强制许可
D、对受保护的布图设计进行反向工程不构成侵权
E、布图设计专有权的转让自书面合同签订之日起生效
答案A,C,D
解析 我国实行布图设计权登记取得制，布图设计专有权的保护期限为10年，自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算，以较前日期为准。我国《条例》对非自愿许可作出了具体规定，包括发放非自愿许可的条件、程序、报酬的确定等事项。因实施反向工程而复制他人受保护的布图设计的，可以不经权利人许可，不向其支付报酬。当事人转让布图设计专有权应当订立书面合同。并向国务院知识产权行政部门登记，由国务院知识产权行政部门予以公告，转让自登记之日起生效。因此选A,C,D。
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/8Sqx777K
本试题收录于： 知识产权法题库法学类分类
0

知识产权法

法学类

相关试题推荐
随机试题
最新回复(0)