2. 考研
  3. 下列的说法正确的是( )。 Ⅰ．高位多体交叉存储器能很好地满足程序的局部性原理 Ⅱ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块 Ⅲ．双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行写操作

下列的说法正确的是( )。 Ⅰ．高位多体交叉存储器能很好地满足程序的局部性原理 Ⅱ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块 Ⅲ．双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行写操作

admin2019-02-24  74
问题 下列的说法正确的是(    )。
Ⅰ．高位多体交叉存储器能很好地满足程序的局部性原理
Ⅱ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块
Ⅲ．双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行写操作
选项 A、仅Ⅰ、Ⅲ
B、仅Ⅱ、Ⅲ
C、仅Ⅲ
D、仅Ⅱ
答案D
解析 Ⅰ：高位多体交叉存储器由于是在单个存储器中将字连续存放的，所以不能保证程序的局部性原理；而低位多体交叉存储器由于是交叉存放的，所以能很好地满足程序的局部性原理，所以Ⅰ错误。
Ⅱ：高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取，但是仍然有可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字。虽然概率比较小，但是也非不可能，所以Ⅱ正确。
Ⅲ：双端口存储器虽然具有两套独立读/写端口，且具有各自的地址寄存器和译码电路，但是仍然不能同时对同一区间、同一单元进行写操作。因为当有一方进行写时，忙标志位将会阻止另一方访问（见图2—9），所以Ⅲ错误。
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/CbCi777K
本试题收录于： 计算机408题库学硕统考专业分类
0

计算机408

学硕统考专业

相关试题推荐
随机试题
最新回复(0)