2. 考研
  3. 下列的说法中，正确的是( )。 Ⅰ．双端口存储器可以同时访问同一区间、同一单元 Ⅱ．双端口存储器当两个端口的地址码相同时，必然会发生冲突 Ⅲ．高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理 Ⅳ．高位四体交叉存储器可能在

下列的说法中，正确的是( )。 Ⅰ．双端口存储器可以同时访问同一区间、同一单元 Ⅱ．双端口存储器当两个端口的地址码相同时，必然会发生冲突 Ⅲ．高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理 Ⅳ．高位四体交叉存储器可能在

admin2019-05-10  36
问题 下列的说法中，正确的是(    )。
    Ⅰ．双端口存储器可以同时访问同一区间、同一单元
    Ⅱ．双端口存储器当两个端口的地址码相同时，必然会发生冲突
    Ⅲ．高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理
    Ⅳ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问四个模块
选项 A、Ⅰ和Ⅲ
B、Ⅱ和Ⅲ
C、Ⅰ和Ⅳ
D、只有Ⅰ
答案C
解析 本题考查双端口存储器和交叉存储器的特点。双端口RAM的两个端口具有2组相互独立的地址线、数据线和读写控制线，因此可以同时访问同一区间、同一单元，Ⅰ正确，但是其中任一个端口都不可有写操作；当两个端口同时对相同的单元进行读操作时，则不会发生冲突，Ⅱ错误。高位多体交叉存储器由于在单个存储器中字是连续存放的，所以不能保证程序的局部性原理；而低位多体交叉存储器由于是交叉存放，所以能很好地满足程序的局部性原理，ⅡI错误。高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取，但仍可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字，只是这么读的概率较小，Ⅳ正确。
    注意：高位多体交叉存储器仍然是顺序存储器。
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