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某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵,已知其存取周期为O.1μs,最大刷新间隔为2 ms。当采用异步刷新方式时,死时间等于( )。
某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵,已知其存取周期为O.1μs,最大刷新间隔为2 ms。当采用异步刷新方式时,死时间等于( )。
admin
2018-09-11
21
问题
某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵,已知其存取周期为O.1μs,最大刷新间隔为2 ms。当采用异步刷新方式时,死时间等于( )。
选项
A、2 ms
B、0.1 ms
C、0.2μs
D、0.1μs
答案
D
解析
当采用异步刷新方式时,将对DRAM芯片内1 024行的刷新均匀分布在2 ms内的不同时间,每次刷新一行;这样每次刷新只需停止一个存取周期,即“死时间”为一个存取周期0.1μs,故选D。
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计算机408题库学硕统考专业分类
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计算机408
学硕统考专业
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