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  3. 主存DRAM芯片保持所存数据不丢失的方法是(176)。当需要扩大空量时，可采用字扩展法，它是(177)。为提高内存数据读取速度采用了不少方法，但(178)不属于这个目的。假设内存存取周期T＝200ns，字长64位，数据总线宽度64位，总线传周期为50ns。

主存DRAM芯片保持所存数据不丢失的方法是(176)。当需要扩大空量时，可采用字扩展法，它是(177)。为提高内存数据读取速度采用了不少方法，但(178)不属于这个目的。假设内存存取周期T＝200ns，字长64位，数据总线宽度64位，总线传周期为50ns。

admin2019-04-30  53
问题 主存DRAM芯片保持所存数据不丢失的方法是(176)。当需要扩大空量时，可采用字扩展法，它是(177)。为提高内存数据读取速度采用了不少方法，但(178)不属于这个目的。假设内存存取周期T＝200ns，字长64位，数据总线宽度64位，总线传周期为50ns。现用4个模块组成内存，并在连续4个地址中读出数据。如用顺序方式组织模块，则数据带宽为(179)。如用交叉存储方式组织内存，则数据带宽可达约(180)。
选项 A、将新加芯片的地址线，数据线和读/写控制线与原有芯片相应线并接，片选线由地址总线高位控制
B、将新加芯片的地址线，读/写控制线和片选线与原有芯片相应线并接，数据线接数据总线高位线
C、将新加芯片的数据线，读/写控制线和片选线与原有芯片相应线并接，地址线接地址总线高位线
D、将新加芯片的地址线，数据线和片选线与原有芯片相应线并接，读/写控制线接控制总线的有关位线
答案A
解析
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