2. 考研
  3. 下列的说法正确的是( )。 Ⅰ．高位多体交叉存储器能很好地满足程序的局部性原理 Ⅱ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块 Ⅲ．双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行写操作

下列的说法正确的是( )。 Ⅰ．高位多体交叉存储器能很好地满足程序的局部性原理 Ⅱ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块 Ⅲ．双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行写操作

admin2019-12-10  47
问题 下列的说法正确的是(    )。
    Ⅰ．高位多体交叉存储器能很好地满足程序的局部性原理
    Ⅱ．高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块
    Ⅲ．双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行写操作
选项 A、仅Ⅰ、Ⅲ
B、仅Ⅱ、Ⅲ
C、仅Ⅲ
D、仅Ⅱ
答案D
解析 Ⅰ：高位多体交叉存储器由于是在单个存储器中将字连续存放的，所以不能保证程序的局部性原理；而低位多体交叉存储器由于是交叉存放的，所以能很好地满足程序的局部性原理，故Ⅰ错误。
    Ⅱ：高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取，但是仍然有可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字。虽然概率比较小，但是也非不可能，所以Ⅱ正确。
    Ⅲ：双端口存储器虽然具有两套独立读／写端口，且具有各自的地址寄存器和译码电路，但是仍然不能同时对同一区间、同一单元进行写操作。因为当有一方进行写时，忙标志位将会阻止另一方访问(见图2-10)，所以Ⅲ错误。

    扩展：双端口存储器可以同时对同一区间、同一单元进行读操作。另外，一方读一方写也不能同时对同一区间、同一单元进行操作，否则将会发生冲突。总之，只要有写操作，就不能同时进行。
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