A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 除气、氧化的目的是

admin2012-01-09  47

问题 A、低于体瓷烧结温度6~8℃       B、高于体瓷烧结温度10℃      C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间       D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡      E、防止磨料成分污染金属表面
除气、氧化的目的是

选项 A、 
B、 
C、 
D、 
E、 

答案D

解析 除气、预氧化后可去除金属表面有机物和释放金属表层气体,并在金属表面形成一薄层氧化物,以防发生瓷泡,消除一切可能对金一瓷结合产生的不利因素。
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