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A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 除气、氧化的目的是
A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 除气、氧化的目的是
admin
2012-01-09
67
问题
A、低于体瓷烧结温度6~8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面
除气、氧化的目的是
选项
A、
B、
C、
D、
E、
答案
D
解析
除气、预氧化后可去除金属表面有机物和释放金属表层气体,并在金属表面形成一薄层氧化物,以防发生瓷泡,消除一切可能对金一瓷结合产生的不利因素。
转载请注明原文地址:https://kaotiyun.com/show/NmOj777K
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专业知识
口腔医学技术(103)
卫生专业技术资格初级(士)
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