A、低于体瓷烧结温度6～8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面除气、氧化的目的是

admin2012-01-09 79

问题 A、低于体瓷烧结温度6～8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面
除气、氧化的目的是

选项 A、
B、
C、
D、
E、

答案D

解析除气、预氧化后可去除金属表面有机物和释放金属表层气体，并在金属表面形成一薄层氧化物，以防发生瓷泡，消除一切可能对金一瓷结合产生的不利因素。

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