2. 职业资格
  3. 如图所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则O～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力F

如图所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则O～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力F

admin2017-08-17  40
问题 如图所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则O～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力Ff随时间变化的图象一定不正确的是(取平行斜面向上为正方向)(    )。
选项 A、 
B、 
C、 
D、 
答案B
解析 O～t1过程中磁感应强度减小，即垂直穿过线圈的磁通量减小，因为磁感应强度是均匀减小的，所以产生的感应电动势是恒定的，由于电路电阻恒定，所以产生的感应电流是恒定的，根据公式F=BIL可得在磁感应强度逐渐减小，而电流和导体长度不变的情况下，安培力在逐渐减小；在t1～t2过程中磁感应强度反向均匀增大，磁感应强度变化率不变，所以感应电流大小不变，与上一过程中相等，所以安培力反向增大，故A正确B错误。若开始安培力小于导体棒重力沿导轨向下的分力mgsinθ，则摩擦力为：f=mgsinθ－F安，随着安培力的减小，摩擦力f逐渐逐渐增大；若安培力大于mgsinθ，则摩擦力为：f=F安－mgsinθ，由于安培力逐渐减小，摩擦力逐渐减小，当F安=mgsinθ时，摩擦力为零并开始反向变为：f=mgsinθ－F安，随着安培力的变化将逐渐增大，故CD正确。
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