下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是_______。

admin2015-12-30  26

问题 下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是_______。

选项 A、信息可读可写,并且读、写速度一样快
B、存储单元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C、掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D、采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器

答案A

解析 闪存是EEPROM的进一步发展,可读可写,用MOS管的浮栅上有无电荷来存储信息。闪存依然是ROM的一种,写入时必须先擦除原有数据,故写速度比读速度要慢不少(硬件常识)。闪存是一种非易失性存储器,它采用随机访问方式。现在常见的SSD固态硬盘,即由Flash芯片组成。
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