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  3. 下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是_______。

下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是_______。

admin2015-12-30  78
问题 下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是_______。
选项 A、信息可读可写，并且读、写速度一样快
B、存储单元由MOS管组成，是一种半导体存储器
C、掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器
D、采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
答案A
解析 闪存是EEPROM的进一步发展，可读可写，用MOS管的浮栅上有无电荷来存储信息。闪存依然是ROM的一种，写入时必须先擦除原有数据，故写速度比读速度要慢不少(硬件常识)。闪存是一种非易失性存储器，它采用随机访问方式。现在常见的SSD固态硬盘，即由Flash芯片组成。
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